4 月 24 日消息，SK 海力士宣布，为应对用于 AI 的半导体需求剧增，决定扩充 AI 基础设施（Infra）的核心产品即 HBM 等新一代 DRAM 的生产能力（Capacity） 。
当天，公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的 M15X 定为新的 DRAM 生产基地，并决定向厂房（Fab）建设投资约 5.3 万亿韩元（IT之家备注：当前约 279.31 亿元人民币）。
SK 海力士将于本月末开始进行建设工程，计划在 2025 年 11 月竣工并开始量产。公司也将依次进行设备投资，从长远来看，计划向 M15X 投资逾 20 万亿韩元，由此进一步扩充产能。
SK 海力士强调：“作为 AI 应用的存储器领域全球领先者，公司希望通过向韩国生产基地加大投资，为激活韩国经济动能做出贡献，同时巩固提升‘半导体强国’的地位。”
随着 AI 时代的来临，半导体业界认为 DRAM 市场进入了中长期增长时代。公司认为，预计年均增长率高达 60% 以上的 HBM、以面向服务器的高容量 DDR5 模块为主的普通 DRAM 产品需求也将持续增加。
在此趋势下，要想确保 HBM 产品的产量达到与普通 DRAM 相同的水平，则至少需要相对于普通 DRAM 至少两倍以上的生产能力。公司认为，提高以 HBM 为主的 DRAM 产能是首要课题。
因此，SK 海力士决定在龙仁半导体集群的第一座工厂竣工（2027 年上半年）之前，在清州 M15X 厂生产新一代 DRAM 产品。公司也考虑了 M15X 厂的地理位置优势，其与正在扩充 TSV * 生产能力的 M15 厂相邻，可以进一步优化 HBM 生产。
SK 海力士推进 M15X 项目的同时，也将如期进行投入约 120 万亿韩元的龙仁半导体集群等韩国国内的投资计划。
目前，龙仁半导体集群的用地在建工程进度约为 26%，相较于工程目标快 3 个百分点。公司已完成布局生产设施的用地相关补偿和文化遗产调查工作，电力、用水、道路等基础设施的建设工程也比原计划进行得更快。公司计划在明年 3 月开工建造龙仁半导体集群第一座工厂，并于 2027 年 5 月竣工。
另外，SK 海力士的韩国国内投资，在 SK 集团展开的整个韩国国内投资当中也起到了重要作用。公司在 2012 年并入 SK 集团后从 2014 年开始总投资 46 万亿韩元（当前约 2424.2 亿元人民币），以利川 M14 厂为开端，以增建三座工厂的“未来展望”为中心，在韩国持续加码投资。最终，公司在 2018 年和 2021 年依次竣工了清州 M15 厂和利川 M16 厂，超前实现了未来展望。
公司期待，随之推进的 M15X 和龙仁集群投资，能够促使韩国成为 AI 半导体强国，也将成为激发国家经济的牵引力。
SK 海力士 CEO 郭鲁正表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展做出贡献。”
